光刻技术主导芯片制造，中国光刻机自主研发挑战国际封锁

光刻技术，在芯片制造业的广阔天地中，犹如一颗耀眼的明星，指引着行业的发展方向。尽管NIL纳米压印和BLE电子束技术逐渐崭露头角，但在大规模芯片生产中，光刻技术依然稳居霸主地位，光刻机则是其中的关键设备。

全球光刻机市场呈现出三足鼎立的局面。荷兰ASML以85%的市场份额独占鳌头，而日本尼康和佳能则共同占据了剩余的15%市场份额。这一市场格局，充分展示了光刻机领域的高度集中和激烈竞争。

在我国，上海微电子作为光刻机领域的领军企业，虽然市场份额较小，但仍在努力。目前，该公司公开的光刻机产品技术停留在90纳米级别，主要应用于封测领域，而在前道制造环节的应用较少。这一现状，对我国芯片制造业的自主发展提出了挑战。

面对国际上的封锁与制裁，美国联合日本、荷兰对光刻机实施严格管控，先是禁止EUV光刻机出口至中国，后又将高端浸润式DUV光刻机纳入禁售名单，目的在于遏制我国芯片产业的崛起。

近期，美国对我国的高科技领域制裁升级，涉及140家企业、24种设备、3种软件以及HBM内存。在此背景下，我国如何突破重围？答案唯有自主研发EUV光刻机。

一旦我国掌握EUV光刻机技术，将实现5纳米及以下级别芯片的自给自足，美国的芯片与技术封锁将不攻自破。反之，若无法突破EUV光刻机技术壁垒，我国将继续受制于人。

然而，EUV光刻机的研发之路充满挑战。国内近期曝光的193纳米波长光源光刻机，虽然分辨率和套刻精度有所提升，但仍属于DUV光刻机范畴，与EUV光刻机相比还有较大差距。这意味着，我国光刻机技术还需跨越至少两代，才能触及EUV光刻机的门槛。

尽管挑战重重，但机遇与挑战并存。面对国际封锁和技术壁垒，我国唯有坚定信念，加大研发投入，勇攀科技高峰，才能在全球芯片制造业竞争中占据一席之地，实现真正的自主可控。