ASML富凯谈华为芯片：技术差距论断下的突破与挑战

近期，全球光刻机领域的领军企业ASML首席执行官克里斯托弗·富凯在公开活动中，对中国半导体行业的进展发表了看法。他强调，尽管华为和中芯国际在半导体技术领域实现了显著进展，但与国际巨头如Intel、台积电和三星相比，仍存在10至15年的技术鸿沟。

富凯进一步指出，在未拥有先进极紫外（EUV）光刻机的情况下，华为和中芯国际即便采用顶尖的深紫外（DUV）光刻技术，在芯片制造工艺上仍难以与台积电等领先企业匹敌。这一观点为中国半导体行业的技术追赶之路增添了挑战。

值得注意的是，华为在芯片研发领域的成就部分打破了“技术差距”的说法。据悉，华为的麒麟9010芯片在性能上已超越高通骁龙888，这一成就引发了对中国半导体行业实际技术实力的重新审视。

若依照ASML的观点，华为和中芯国际与国际巨头存在10至15年的技术差距，那么我国在芯片制造工艺上的表现就尤为引人注目。因为，即便使用看似落后的10年工艺，也能制造出仅性能落后5年的芯片，这无疑是对我国芯片技术的高度认可。某种程度上，这一表现甚至超出了ASML对中国半导体行业技术水平的预期。