硅基RibbonFET CMOS晶体管

Intel在IEDM 2024上公布半导体技术突破，包括新材料应用、异构封装技术等，旨在实现2030年单个芯片1万亿晶体管目标。减成法钌互连技术、选择性层转移技术等创新，推动晶体管技术发展，助力摩尔定律持续进步。